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產品詳情
  • 產品名稱:單室磁控濺射鍍膜儀

  • 產品型號:CY-SC
  • 產品廠商:成越科儀
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簡單介紹:
單室磁控濺射鍍膜儀主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱臺、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。單室磁控濺射鍍膜儀可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
詳情介紹:

單室磁控濺射鍍膜儀設備用途:

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

單室磁控濺射鍍膜儀技術參數:

真空室

圓型真空室,尺寸? 450×50mm

真空系統配置

復合分子泵、機械泵、閘板閥

極限壓力

6.67*10-5 Pa (經烘烤除氣后)

恢復真空時間

40 分鐘可達到6 .6*10-4 Pa 。(系統短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣)

磁控靶組件

永磁靶三套;靶材尺寸?60mm(其中一個可濺射磁性材料);各靶射頻灘射和直流裁射兼容;靶內水冷;三個靶可共同折向上面的樣品中心;靶與樣品距離 90~110mm可調;當直接向上濺射時,靶與樣品距離40~80mm可調

基片水冷加熱公轉臺

基片結構

基片加熱與水冷獨立工作,取下加熱爐可以換上水冷基片臺

樣品尺寸

?30mm

運動方式

基片可連續(xù)回轉,轉速 5~10 轉/分

加熱

基片加熱*高溫度600±1

基片負偏壓

200V

氣路系統

控制器 2

計算機控制系統

控制樣品轉動,擋板開關,靶位確認等

可選配件6工位基片加熱公轉臺

拆下單基片水冷加熱臺可以換上該轉臺。可同時放置630mm的基片;6個工位中,其中一個工位安裝加熱爐,其余工位為自然冷卻基片臺;基片加熱*高溫度600 ±1

設備占地面積

主機

I300×800mm2

電控柜

70×700m2

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