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PECVD系統(tǒng)性能指標的說明

日期:2025-04-30 13:09
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摘要:
   PECVD系統(tǒng)薄膜制備設(shè)備,適合于半導(dǎo)體、集成電路、光電科學、電子信息、納米技術(shù)等領(lǐng)域研究,可以在各種尺寸和形狀的基底上沉積可以多種薄膜。

PECVD系統(tǒng)性能指標:

    1、PECVD是前段預(yù)熱雙溫區(qū)滑軌結(jié)構(gòu),集真空系統(tǒng)、供氣流量系統(tǒng)、射頻源、自動推進、加熱于一體,并將所有控制集成于觸屏操控界面之中。

    2、PECVD電源范圍:0~500 W可調(diào),溫度范圍:100~1200 ℃可調(diào),濺射區(qū)域長度:2000 mm。

    3、適用范圍:金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復(fù)合薄膜,連續(xù)生長各種薄膜等。

    4、雙溫區(qū)滑軌爐:帶有預(yù)熱爐,*高溫度為1100 ℃;

    5、等離子射頻發(fā)生器:輸出功率5~500 W可調(diào);射頻電源頻率13.56 MHz;冷卻方式為空氣冷卻;輸入電源:208~240 VAC,50/60 Hz;

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